Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках

продать эту книгу
оставить заявку
ошибка в описании

автор: ;

isbn:отсутствует

издательство: Наука

город, год: Москва,

страниц: 480 стр.

тип обложки: Переплет (твердый)

язык: русский

В продаже

andrusru

Москва on
1 000Р
отличное
купить

Аннотация

В книге изложены современные методы теоретического рассмотрения, используемые в двух различных областях теории явлений переноса и обобщающие обычные больцмановские концепции. Наибольшее внимание уделено подробному обсуждению и изложению теории кинетических и динамических свойств поляронов малого радиуса, ее основных концепций. Получены и подробно исследованы формулы основных кинетических коэффициентов и основные особенности их поведения в зависимости от различных параметров. Обсуждены также основные концепции теории кинетических коэффициентов поляронов большого радиуса.

В книге выведена система кинетических уравнений для одноэлектронной и однофононной матриц плотности, учитывающая квантование орбитального движения электронов внешним магнитным полем. Найдены кинетические коэффициенты, характеризующие потоки заряда и энергии и исследована температурная и полевая зависимость этих коэффициентов в наиболее интересных случаях, доступных экспериментальной проверке.

Рубрикатор

Каталог